Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на Si и GaP подложках
(по материалам работы на соискание степени кандидата наук)
05 декабря • четверг • 16:00 • Конференц-зал СЛК (к. 627)
Формат: 1 час выступления и далее вопросы/ответы
Приглашаем Вас и Ваших коллег принять участие в семинаре
